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ESD对精密半导体芯片的静电危害

时间:2014-09-09 09:40来源:未知 作者:小紫 点击:
ESD即静电释放,它对于精密半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;造成反向偏置和正向偏置的PN结短路;融化有源器件内部的焊接线或铝线。

 

  ESD即静电释放,它对于精密半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;造成反向偏置和正向偏置的PN结短路;融化有源器件内部的焊接线或铝线。
 
 
  在电脑行业,ESD更是频繁出现的无形杀手,主要表现在:
 
 
  1雷击或其他静电放电导致网卡损坏2芯片组烧毁,如早几年某主板大厂由于USB接口的ESD问题引起大量南桥烧坏3IO接口问题导致主板上的元件损坏,如三极管烧毁4系统出错,重启,硬盘数据丢失等在主板设计时加入有效的ESD防护措施,可最大程度上防治上述各项损害的发生,从而提高主板品质,加长工作寿命。通常主板元器件在遭受ESD后可通俗分为三种状态:健康,死亡,受伤。健康的,该元件有适当的ESD防护处理,可正常运行几年时间。死亡的,该元件没有ESD防护,而遭受严重的ESD损害,不能正常运行。受伤的,该元件遭受部分损坏,含有潜在的缺陷。虽然短时间内不易发觉,但是在使用过程中出现过早实效。
 
 
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(责任编辑:小紫)
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