静电危害，众所周知，不仅对人体危害重大，而且静电对于精密仪器生产线上的危害也是不可计数的，下面我们来分析一下，半导体以及IC线上的静电危害吧。。。

　　A、静电库仑力的危害：静电库仑力作用下，吸附的粉尘、污物，可能给元器件，造成短路或增大泄露，使性能受损，成品率大大下降，如粉尘粒径>100微米，铝线宽度约100微米，薄膜厚度在50微米以下时，最易使产品报废，这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点焊和封装工艺中。

　　B、静电放电引起的危害，如有数千、数万伏的高电位物体产生脉冲刷形放电火花放电时，瞬时会有很高的放电电流流过。若人体带上10KV的电荷，其放电电流流向大地时，形成脉冲状的电流峰位在20A，造成可观的影响，其放电电流流向大地时，形成脉冲状的电流峰位在20A，造成可观的影响，静电放电现象（ESD），还伴随电磁波发射，会引起种种危害。

　　C、 MOSIC等半导体器件将被ESD击穿或半击穿。

　　MOS场效应管其栅极是从氧化膜引出，栅极与衬底间是隔着一层氧化膜，当栅极与衬底间的电压超过一定值时，氧化膜被击穿，如果MOSIC则全部报废了。当施加电压大于UB=50-100V氧化膜便会被击穿，因为栅极电容很小（约几个微微法），输入阻抗很高（约1014Ω以上），这样少量的电荷就会产生高压，电荷也很难泄漏，只要大于50V（无保护），就会烧毁，所以只要人手一摸，栅极元件就坏，因为人体带电超过50V是平常事。

　　详细资料请拨打：022-83719898    联系QQ：2631978474

　　相关文章：防静电（ESD）系统解决方案的简介